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        7. MOS管驅(qū)動電阻器與MOS管柵極尖峰電壓的防護分析
          • 發(fā)布時間:2020-05-22 17:18:08
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          MOS管驅(qū)動電阻器與MOS管柵極尖峰電壓的防護分析
          本文主要講MOS管驅(qū)動電阻器及MOS管柵極尖峰電壓的防護分析。與常規(guī)雙極晶體管不同,MOS管是電壓控制型器件,一般用于小電壓控制大電流的情況,包括開關(guān)電源、馬達控制、繼電器控制、LED照明等。應(yīng)用中,MOS管相當于一個開關(guān),漏極和源極之間還有一個寄生二極管,也稱作體二極管。所以,MOS管的驅(qū)動比較復雜。
          MOS管損耗
          MOS管的導通相當于開關(guān)閉合。不管是NMOS還是PMOS,導通后都有導通電阻存在,電流通過時就會消耗一定的能量——導通損耗。在器件選型時,我們都會選擇導通電阻小的MOS管。目前,小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右,有的只有幾毫歐。
          MOS,MOS管
          MOS管及導通電阻與VGS和溫度的關(guān)系
          就開關(guān)速度而言,MOS的導通和截止一定不是瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程,流過的電流有一個上升的過程,在這段時間內(nèi),MOS管的損耗是電壓和電流的乘積,叫做開關(guān)損耗。
          通常,開關(guān)損耗比導通損耗大得多,而且開關(guān)頻率越快,損耗也越大。因為,導通瞬間電壓和電流的乘積很大,造成的損耗也就很大。
          應(yīng)用中,可以通過縮短開關(guān)時間、降低開關(guān)頻率兩種方法來減小開關(guān)損耗。其中,縮短開關(guān)時間可以減小每次導通時的損失,降低開關(guān)頻率可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。
          選擇最佳的柵極電壓VGS
          由于MOS管的GS、GD之間存在寄生電容,驅(qū)動MOS管實際上就是對這些電容進行充放電。同時,MOS管柵極電阻器也很重要。應(yīng)選擇適當?shù)碾娮柚担驗樗鼤绊戦_關(guān)速度,進而影響MOS管的開關(guān)損耗。
          VGS對于MOS管柵極驅(qū)動非常重要。MOS管在線性區(qū)(即電壓低于夾斷電壓)中運行時,其導通電阻較低。因此對于開關(guān)應(yīng)用,可以在低VDS區(qū)中使用MOS管來降低導通電阻。
          當MOS管的柵極電壓VGS超過其閾值電壓Vth時,MOS管開通。因此,VGS必須明顯高于Vth。而且,VGS越高,RDS(ON)值就越低;溫度越高,RDS(ON)值也就越高。為了減少損耗,必須增大VGS從而最大限度減小器件在當前使用的電流水平下的電阻,從而降低穩(wěn)態(tài)損耗。
          相反,高VGS值會增大高頻開關(guān)情況下驅(qū)動損耗對總損耗的比率。因此必須選擇最佳的MOS管和柵極驅(qū)動電壓,常用MOS管的導通電壓Vth為4V或10V。
          柵極電阻器的選擇
          一般來說,MOS管的柵極端子上連接一個電阻器。該柵極電阻器的用途包括抑制尖峰電流并減少輸出振鈴。較大的柵極電阻器會降低MOS管的開關(guān)速度,從而導致功率損耗增大,性能降低以及出現(xiàn)潛在的發(fā)熱問題。
          MOS,MOS管
          MOS管柵電阻器的選擇
          相反,較小的柵極電阻器會提高MOS管的開關(guān)速度,易引發(fā)電壓尖峰和振蕩,從而造成器件故障和損壞。
          因此,必須選擇最佳的柵極電阻器,或通過調(diào)節(jié)柵極電阻器值來優(yōu)化MOS管開關(guān)速度,有時會使用不同的柵極電阻器來開通和關(guān)斷MOS管。
          尖峰電壓的防護
          在MOS管的柵極和源極之間外接一個齊納二極管,可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意,齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
          MOS,MOS管
          MOS管柵極尖峰電壓的防護
          柵極故障的預防
          MOS管的一大問題在于其漏柵電容會導致出現(xiàn)寄生開通(自開通)現(xiàn)象。關(guān)斷后,MOS管的源極和漏極之間形成陡峭的dv/dt。產(chǎn)生的電流經(jīng)由漏柵電容流到柵極,導致柵極電阻器中發(fā)生的電壓降提高柵極電壓。
          如果dv/dt的斜率極為陡峭,則根據(jù)柵源電容與柵漏電容的比率為MOS管的柵極施加電壓。如果出現(xiàn)這種情況,可能會發(fā)生自開通。如果在二極管反向恢復期間對處于關(guān)斷狀態(tài)的MOS管施加快速變化的電壓,也可能發(fā)生自開通。
          MOS,MOS管
          用于防止MOS管自開通現(xiàn)象的米勒箝位電路
          要防止自開通現(xiàn)象,通常有三種方法:一是在柵極和源極之間添加一個電容器,二是將關(guān)斷柵極電壓驅(qū)動到負值,避免其超過Vth。第三種方法是采用米勒箝位電路的開關(guān)器件,使MOS管的柵極與源極之間的通路發(fā)生短路,通過在相關(guān)MOS管的柵極和源極之間添加另一個MOS管來實現(xiàn)短路。
          雖然驅(qū)動電路較雙極性晶體管復雜,MOS管獨特的開關(guān)特性是任何器件都無法替代的,人們還一直在把MOS管從開關(guān)電源、馬達驅(qū)動、照明調(diào)光向汽車電子、新能源電力等應(yīng)用推廣。面對新的應(yīng)用,設(shè)計時當然需要有一定的余量,并綜合考量MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和應(yīng)用環(huán)境和發(fā)展?jié)摿Α?br /> 烜芯微專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等20年,工廠直銷省20%,1500家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
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