1.實驗內(nèi)容
基于“外部旁路晶體管擴流”原理，以線性集成穩(wěn)壓芯片為核心，設(shè)計一能夠輸出大電流的直流穩(wěn)壓電路。假設(shè)該穩(wěn)壓電路輸入電壓為30V，輸出電壓為24V，負載電阻為10Ω。
實驗具體要求如下：
（1）確定電路形式，說明晶體管擴流的原理。
（2）查閱選擇的集成穩(wěn)壓芯片和擴流晶體管數(shù)據(jù)手冊，記錄集成穩(wěn)壓芯片的最大輸出電流，說明擴流晶體管的額定功率選擇依據(jù)。
查閱手冊得LM117最大輸出電流為1.5A
（3）確定電路其它元件參數(shù)。
（4）利用Altium Designer繪制原理圖。
2.實驗結(jié)果
（1）在下方列出所設(shè)計電路的原理圖（Altium Designer完成，確定電路中所有器件的型號和參數(shù)）
C1：防止自激，一般取0.1uF。
C2：減小輸出紋波，一般取10uF。
C3：減小阻尼振蕩和改善瞬態(tài)特性，可取1μF鉭電容。
D1、D2：為C3、C2提供放電通路，防止穩(wěn)壓器承受反向電壓，保護穩(wěn)壓器。
R2、R3：調(diào)節(jié)輸出電壓，通常R2取240Ω，R3為可調(diào)電阻，一般取5K
所設(shè)計電路的原理圖
（2）結(jié)合所設(shè)計的電路圖說明該電路的工作原理及晶體管的擴流原理。（具體包括如何實現(xiàn)穩(wěn)壓、如何實現(xiàn)大電流輸出）
穩(wěn)壓原理：
功率器件（調(diào)整管）與負載串行連接，功率器件工作在線性區(qū)，靠改變調(diào)整管上的壓降來穩(wěn)定輸出。
擴流原理：
IN接直流輸入電源，其輸入電壓的范圍跟選用的芯片有關(guān)，OUT為線性穩(wěn)壓電源的輸出端接負載。流過負載的電流為Io，Io由源LM117的輸出電流I2和PNP的輸出電流I1兩部分。IR為流過電阻的電流，Ib為PNP的基極電流，Iin為源LM117的輸出電流。分析時忽略源LM117的靜態(tài)工作電流。假設(shè)晶體管的放大倍數(shù)為β，晶體管基極導(dǎo)通電壓為Ueb。如圖所示。
Io=I1+I2(1-1)
Iin=IR+Ib(1-2)
I1=βIb(1-3)
I2=Iin=IR+Ib(1-4)
IR=Ueb/R1(1-5)
Io=I1+I2=βIb+Iin=βIb+IR+Ib=(1+β)Ib+Ueb/R1(1-6)
由式(1-6)可知是，輸出電流和晶體管的放大倍數(shù)以及電阻R1的值相關(guān)，由于晶體管輸出電流與基極的電流成正比，晶體管的放大倍數(shù)為β，當(dāng)晶體管處于線性放大區(qū)工作時，只要較小的Ib電流，就能獲得較大的I2輸出，當(dāng)參數(shù)選取合適時，I2的電流將是Io輸出電流的主要部分，從而實現(xiàn)了擴流。
（3）給出所選穩(wěn)壓芯片的最大輸出電流參數(shù)，根據(jù)題目要求，列出擴流晶體管額定功率的計算過程。
因為已知：Uo=1.25×(1+R2/R1)+Iadj×R2
Io=I1+I2=βIb+Iin=βIb+IR+Ib=(1+β)Ib+Ueb/R1
所以Po=Io×Uo=[1.25×(1+R2/R1)+Iadj×R2]×[(1+β)Ib+Ueb/R1]即為所求。
三、實驗思考題
1、線性穩(wěn)壓電路的優(yōu)點有哪些？
答：輸出電壓穩(wěn)定、紋波小、電路簡單。
2、造成三端集成線性穩(wěn)壓芯片轉(zhuǎn)換效率不高的原因是什么？
答：由于調(diào)整管始終工作在線性狀態(tài)，由此產(chǎn)生的損耗比較大，從而導(dǎo)致電源的效率不高，通常只有35%～60%。
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