1N10場效應(yīng)管,1N10參數(shù)資料,1N10引腳圖,1N10中文資料規(guī)格書PDF
1N10/SOT-23封裝參數(shù)：點擊查看
1N10場效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
極性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：100V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：1.5A
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=100℃：1.2A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：1.2W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=1.5A,VGS=10V：Typ 430mΩ Max 500mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=1A,VGS=4.5V：Typ 460mΩ Max 550mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
1N10場效應(yīng)管/SOT-23封裝尺寸：
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