mos管的靜態(tài)參數(shù)
V(BR)DSS：
漏源擊穿電壓。（D端-S端所能承受電壓值，受制于內(nèi)藏二極管的耐壓，條件：VGS=0，ID=250uA時，與溫度成正比）
是指柵源電壓 VGS 為 0 時，場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數(shù),加在場效應管上的工作電壓必須小于 V(BR)DSS 。它具有正溫度特性，故應以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮。△ V(BR)DSS/ △ Tj ：漏源擊穿電壓的溫度系數(shù),一般為 0.1V/ ℃。
RDS(on) ：
在特定的 VGS (一般為 10V,4.5V,2.5V )、結溫及漏極電流的條件下，MOSFET 導通時漏源間的最大阻抗。（量測方法：GS給電壓，DS端給電流ID，量測VDS與ID，通過歐姆定律算出電阻：內(nèi)阻）
它是一個非常重要的參數(shù)，決定了 MOSFET 導通時的DC消耗功率。此參數(shù)一般會隨結溫度的上升而有所增大。故應以此參數(shù)在最高工作結溫條件下的值作為損耗及壓降計算。
VGS(th) ：
開啟電壓(閥值電壓)。柵極閾值電壓是為使MOSFET導通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導通。
當外加柵極控制電壓 VGS 超過 VGS(th) 時，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。應用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數(shù)一般會隨著溫度的上升而有所降低。
溫度特性可以看出VGS(th)隨著溫度的升高有下降趨勢。這表明當溫度上升時，VGS(th)變低，就是更低的VGS流過更多的ID。當然，也就是說，這與ID-VGS的溫度特性一致。
另外，VGS(th)可用于推算Tj。VGS(th)的溫度特性中有直線性，因此可除以系數(shù)，根據(jù)VGS(th)的變化量計算溫度上升。
VFSD：
內(nèi)嵌二極管的正向?qū)▔航担琕FSD=VS-VD。
（測量方法：1.VGS=0V時，量測壓降；2.G腳Open時，量測壓降；）
IDSS：
指飽和漏源電流.是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓VGS=0時的漏源電流，DS漏電流。（定義：當柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應的漏極電流。）
方法：柵極電壓 VGS=0 、 VDS 為一定值時的漏源電流。一般在納安級.。
IGSS：
指柵漏電（GS漏電流），測量的時候通常其他電極都是接地的，只在柵上加一個特定的電壓，這個值越小越好，越小代表柵氧的質(zhì)量越好。由于 MOSFET 輸入阻抗很大，IGSS 一般在納安級。
mos管的靜態(tài)特性
MOS管作為開關元件，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態(tài)。
工作特性如下：
uGS開啟電壓UT:MOS管工作在截止區(qū)，漏源電流iDS基本為0,輸出電壓uDS≈UDD,MOS管處于“斷開”狀態(tài)。
uGS>開啟電壓UT:MOS管工作在導通區(qū)，漏源電流iDS=UDD/(RD+rDS)。其中，rDS為MOS管導通時的漏源電阻。輸出電壓UDS=UDD·rDS/(RD+rDS)，如果rDS《RD,則uDS≈0V,MOS管處于“接通”狀態(tài)。
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