開關(guān)損耗計算
1、CCM 模式開關(guān)損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
1.1 導通時的開關(guān)損耗
CCM 模式下，開關(guān)的導通時的電流與電壓波形如圖 1 所示。
根據(jù)數(shù)據(jù)給出的原理：當MOS 管接感性負載時，當電流變化時，電壓保持不變；當電壓變化時，電流保持不變。所以可以利用電流的平均值、電壓的平均值來計算MOS 管的導通時的開關(guān)損耗平均值，可得開關(guān)導通時的開關(guān)損耗為：
使用積分計算方法的如下：
1.1.1 CCM 下反激式開關(guān)電源損耗公式
電流的確定
先讓我們回顧一下 CCM 模式下輸入電感的電流波形，如圖 2 所示。
由圖 2 可知：I2 為MOS 管導通時的電流，I3 為MOS 管的最大電流。眾所周知，反激式開關(guān)電源導通的轉(zhuǎn)換時間是納秒級的，而導通時間是微秒級的，所以導通時的開關(guān)損耗公式中的I4=I2。
Vds 電壓的確定
反激電路框圖如圖 3 所示。
在確定 Vds 電壓之前，需要確定幾點原則：
（1）變壓器中有能量時，輸入繞組、輸出繞組至少有一個有電流流過或者兩個都有（電流是變壓器有能量的表現(xiàn)）；
（2）輸出二極管導通是需要電壓的，也就是輸出繞組的電壓必須上升到Vo+Vf；
（3）電感電流不能突變。
由于電感電流不能突變，輸出繞組必須維持D1 導通的電壓來使電流迅速下降，然后才是輸出繞組電壓方向。所以導通轉(zhuǎn)換過程中Vds=Vin+Vor。CCM 模式下，反激電源中MOS管導通時的開關(guān)損耗公式為：
Vor 為初級繞組上的反射電壓。
再次申明：CCM 模式下的反激式電源，MOS 管導通時的開關(guān)損耗計算公式中電壓為（Vin+Vor），而電流為最小電流I2。
1.2 關(guān)斷時的開關(guān)損耗
關(guān)斷轉(zhuǎn)換過程中的電壓電流波形如圖 4 所示。
根據(jù)數(shù)據(jù)給出的原理：當MOS 管接感性負載時，當電流變化時，電壓保持不變；當電壓變化時，電流保持不變。所以可以利用電流的平均值、電壓的平均值來計算MOS 管的關(guān)斷時的開關(guān)損耗平均值，可得開關(guān)關(guān)斷時的開關(guān)損耗為：
與前面計算開關(guān)導通時的開關(guān)損耗非常相識，看確有本質(zhì)的不同。
1. 電流
在正常的反激式開關(guān)電源設計中，開關(guān)電源導通的轉(zhuǎn)換時間是納秒級的，而導通時間是微秒級的，所以導通時的開關(guān)損耗公式中的Id=I3（電流I3 如圖 2 所示）。
2. 電壓Vds
先上一個反激式漏極尖峰電壓吸收電路，如圖 5 所示，其中的紅色部分。
在確定 Vds 電壓之前，需要確定幾點原則：
（1）變壓器中有能量時，輸入繞組、輸出繞組至少有一個有電流流過或者兩個都有（電流是變壓器有能量的表現(xiàn)）；
（2）輸出二極管導通是需要電壓的，也就是輸出繞組的電壓必須上升到Vo+Vf；
（3）電感電流不能突變。
有上面的三原則可知，輸出繞組的電壓先上升至Vo，然后輸出整流管D1 導通，這個時候初級的電感電流急劇下降，輸出繞組電流相應上升。而初級漏感尖峰電壓上升速度比納秒級還小，所以可以得出：開關(guān)關(guān)斷過程損耗計算公式中電壓應該為輸入電壓、電容C 兩端電壓之和。
Vc 為電壓尖峰電路中電容的吸收電壓，其中不僅包含反射電壓，還有漏感導致的尖峰電壓。I3 是輸入電感上面的峰值電流。
2. DCM 模式的開關(guān)損耗
DCM 模式是幾乎沒有導通轉(zhuǎn)換的交越階段損耗，因為這個時候的輸入電流幾乎是為零的。但是還是有關(guān)斷交越階段的損耗，這個與前面的 CCM 模式下的一樣。
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