您好！歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)！
- 收藏?zé)@芯微
- 手機(jī)訪問(wèn)
掃一掃訪問(wèn)手機(jī)網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
深圳市烜芯微科技有限公司
ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd 二極管、三極管、MOS管、橋堆
全國(guó)服務(wù)熱線：18923864027
N
新聞中心
ews center
R
烜芯微推薦產(chǎn)品
ecommended
聯(lián)系烜芯微
咨詢(xún)熱線：
18923864027
傳真：
18923864027
QQ：
709211280
地址：
深圳市福田區(qū)振中路84號(hào)愛(ài)華科研樓7層
-
MOS管驅(qū)動(dòng)電路-MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與注意事項(xiàng)
2020-11-21
MOS管驅(qū)動(dòng)電路-MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與注意事項(xiàng)MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)MOS管電子產(chǎn)品生產(chǎn)中不可或缺的重要保護(hù)器件，在手機(jī)、筆記本電腦、藍(lán)牙耳機(jī)
-
MOS管SOA分析-詳解MOS管燒壞原因SOA的具體解析
2020-11-21
MOS管SOA分析-詳解MOS管燒壞原因SOA的具體解析MOS管SOA分析板子上的功率mos管是否能持續(xù)安全工作，是設(shè)計(jì)者最擔(dān)心的問(wèn)題。炸機(jī)、用著用著就
-
MOS管選型規(guī)范- MOS管選型規(guī)范的六個(gè)原則介紹
2020-11-20
MOS管選型規(guī)范- MOS管選型規(guī)范的六個(gè)原則介紹MOS管選型規(guī)范原則有六個(gè)必知負(fù)載電流IL--它直接決定于MOSFET的輸出能力；輸入-輸出電壓&ndas
-
MOSFET擊穿電壓-MOS管擊穿特性原因與解決方案
2020-11-20
MOSFET擊穿電壓-MOS管擊穿特性原因與解決方案MOSFET擊穿電壓有哪幾種場(chǎng)效應(yīng)管的三極:源級(jí)（Source）S、漏級(jí)（Drain）D、柵級(jí)（Gate）G(這里
-
開(kāi)關(guān)MOS管-開(kāi)關(guān)MOS管的工作原因與詳解分析
2020-11-20
開(kāi)關(guān)MOS管-開(kāi)關(guān)MOS管的工作原因與詳解分析開(kāi)關(guān)MOS管的工作原理一、MOS管種類(lèi)和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型
-
場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)概述-場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用的四大點(diǎn)詳情解析
2020-11-20
場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)概述-場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用的四大點(diǎn)詳情解析場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見(jiàn)不
-
場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)與作用、使用優(yōu)勢(shì)解析
2020-11-20
場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)與作用、使用優(yōu)勢(shì)解析直流參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)，飽和漏極電流IDSS它可定義為：當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的
-
場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)-場(chǎng)效應(yīng)管代換原則和好壞判斷特點(diǎn)
2020-11-20
場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)-場(chǎng)效應(yīng)管代換原則和好壞判斷特點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)管代換原則與好壞判斷一、定性判斷MOS型場(chǎng)效應(yīng)管的好壞場(chǎng)效應(yīng)管代換原則與好壞判斷詳解
-
場(chǎng)效應(yīng)管調(diào)光-常見(jiàn)調(diào)光方式比較與雙按場(chǎng)效應(yīng)管調(diào)光燈電路
2020-11-20
場(chǎng)效應(yīng)管調(diào)光-常見(jiàn)調(diào)光方式比較與雙按場(chǎng)效應(yīng)管調(diào)光燈電路場(chǎng)效應(yīng)管調(diào)光-幾種常見(jiàn)調(diào)光方式的比較隨著科技的發(fā)展，越來(lái)越多的事情可以在手機(jī)上
-
MOS管識(shí)別與MOS管及IGBT管的辨別
2020-11-19
MOS管識(shí)別與MOS管及IGBT管的辨別MOSFET類(lèi)型識(shí)別小結(jié)1）P溝道與N溝道的識(shí)別。MOS管識(shí)別，MOSFET在導(dǎo)通時(shí)，傳輸電流的層為P溝道的，則為P溝道
-
增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管工作原理和耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2020-11-19
增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管工作原理和耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理和特性增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)是一種外形與
-
MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和電路布線設(shè)計(jì)
2020-11-19
MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和電路布線設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G S兩級(jí)之間有