功率場效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）簡稱功率MOSFET，是使用大都載流子導(dǎo)電的半導(dǎo)體器材，且導(dǎo)通時(shí)只要一種極性的載流子參加導(dǎo)電，是單極型晶體管。與使用少數(shù)載流子導(dǎo)電的雙極型功率晶體管比較，功率 MOSFET 只靠單一載流子導(dǎo)電 ，不存在存儲效應(yīng) ，因而其關(guān)斷進(jìn)程十分敏捷 ，其開關(guān)時(shí)間在 10 - 100ns 之間 ，作業(yè)頻率可達(dá) 100kHz以上，最高能夠到達(dá)500kHz。功卒MOSFET、開關(guān)速度快，作業(yè)頻率高，能夠使高頻率開關(guān)電源在設(shè)計(jì)時(shí)體積更小、質(zhì)量更輕，習(xí)慣開關(guān)電源小型化、高效率化和高可靠性的開展請求 。
功率 MOSFET 按導(dǎo)電溝道分為N 溝道和IP 溝道兩種 ，N溝迫的載梳子為空穴 ，P 溝道的載流子為電子 。其電氣符號如圖 5-16 所示 ，圖中的MOS管三個(gè)極分別為 柵極 G、漏極 D、源極 S。
常用的功率 MOSFET 主要是 N 溝道增強(qiáng)型 。與通常小功率 MOSFET 的橫向?qū)щ姌?gòu)造不間 ，功率 MOSFET 大多選用筆直導(dǎo)電構(gòu)造 ，然后提高了耐壓和耐電流才能 ，因而它又名VMOSFET。功率 MOSFET 是電壓控制型器材 ，在它的柵極和源極間加一個(gè) 圖5-16 功率 MOSFET 的 受控的電壓 ，在漏極可獲得較大的電流 。功率 MOSFET 的柵極與源 極在電氣上是靠硅氧化層彼此阻隔的 ，具有很高的輸入阻抗 ，因而其驅(qū)動電流很小 ，為 100nA 數(shù)量級 ，而輸山電流可達(dá)數(shù)安培至十幾安培 。功率 MOSFET 所需的驅(qū)動功率很小，因 此其對驅(qū)動電路的請求較低。功率 MOSFET 靜態(tài)時(shí)簡直不需輸入電流 ，但在開關(guān)過科中簾對輸 入電容充 、放電，因而它仍需定的驅(qū)動功率，且開關(guān)頻率越高 ，所需求的驅(qū)動功率越大 。
由于功率 MOSFET 具有正的溫度系數(shù)，所以當(dāng)有限個(gè)管子直接并聯(lián)時(shí) ，能夠自動均衡 電流，不會發(fā)生過熱點(diǎn) ，熱穩(wěn)定性好。
功率 MOSF'ET 具有驅(qū)動功率小 、作業(yè)頻率高 、安全作業(yè)以寬 、元二次擊穿等特點(diǎn) 。功 率 MOSFET 的導(dǎo)通壓陣稍大 ，電流容量小，耐壓低 （ 小于 1儀>OV ） ，通常只適用于中小功率開關(guān)管電源，在中低斥、小電流、高頻率范疇占用優(yōu)勢。現(xiàn)在，功率 MOSFET 的容量水平為 50A/500 V ，作業(yè)頻率為 100kHz。
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